GB07N120 SGB07N120 ZU-263 SMD IGBT transistor MOS rohr 8A 1200V

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Shenzhen Bixinda Technology Co., Ltd.9 yrs

GB07N120 SGB07N120 ZU-263 SMD IGBT transistor MOS rohr 8A 1200V

Produkteigenschaften

Modellnummer

SGB07N120

Markenname

Original Brand

Paket-Art

Oberfläche Montieren

Ursprungsort

Japan

Paket/Fall

Standard

Anwendung

Common use

Lieferantentyp

Agentur, Einzel händler, Wholesaler

Media Verfügbar

Datenblatt, das Fotos

Strom-Collector (Ic) (Max)

Standard

Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)

Standard

Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic

Standard

Strom-Collector Cutoff (Max)

Standard

Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Standard

Power-Max

Standard

Frequenz-Übergang

Standard

Befestigungstyp

Oberfläche Montieren

Widerstand-Basis (R1)

Standard

Widerstand-Emitter Basis (R2)

Standard

FET Typ

Standard

Drain Quelle Spannung (Vdss)

Standard

Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C

Standard

Rds Auf (Max) @ Id, Vgs

Standard

Vgs (th) (Max) @ Id

Standard

Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

Standard

Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds

Standard

Frequenz

Standard

Nennstrom (Ampere)

Standard

Rauschzahl

Standard

Package

TO-263

Date Code

Newest

Condition

New and original

Supplier

Shenzhen Bixinda Technology Co., Ltd.

Lead Free Status

Lead free / RoHS Compliant

Delivery Time

Within 3 days

Payment

TT/Western union/Escrow/Paypal

Skype

bxd-electronics

Datasheet

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Shipping by

DHL/UPS/TNT/FEDEX/POST

Verpackung und Lieferung

Packaging Details

Original Packing

Port of dispatch

Shenzhen

verkauf Einheiten

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Supply Ability

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Bearbeitungszeit

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